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元器件
/
半导体分立器件
/
三极管
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金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
/
AGM635E
AGM635E
制造商:
AGM-Semi
制造商物料号#:
AGM635E
规格书:
描述:
参数项
值
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-55 °C
包装方式
Reel
RoHS
Compliant
功耗
1.2 W
通道数量
1
输入电容
980 pF
连续漏极电流(ID)
5 A
FET类型
N-Channel
栅极电荷
20 nC
漏源导通电阻
32 mΩ
栅 - 源电压
-20 V, 20 V
漏 - 源击穿电压
60 V
栅 - 源阈值电压
1.5 V
库存不足
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