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元器件
/
半导体分立器件
/
三极管
/
金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
/
MDD7N65D
MDD7N65D
制造商:
MDD
制造商物料号#:
MDD7N65D
规格书:
描述:
参数项
值
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-55 °C
包装方式
Reel
RoHS
Compliant
功耗
39 W
通道数量
1
输入电容
1.09 nF
连续漏极电流(ID)
7 A
FET类型
N-Channel
栅极电荷
20.7 nC
漏源导通电阻
1.4 Ω
栅 - 源电压
-30 V, 30 V
漏 - 源击穿电压
650 V
栅 - 源阈值电压
2 V to 4 V
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